NJVMJD50T4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

400 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

500 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

10 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJD50

DC電流ゲインhFEMax：

150 at 300 mA, 10 V

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

25 at 200 mA, 10 V

Pd-消費電力：

15 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NJVMJD, NJVM, NJV