MMDF3N04HDR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

80 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

5 mm

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

4 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.5 S

立ち下がり時間：

20 ns, 19 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

77 ns, 15 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns, 15 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns, 9 ns

単位重量：

0.006596 oz

Tags

MMDF3N04HDR, MMDF3N04, MMDF3N, MMDF3, MMDF, MMD