A2T08VD020NT1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

64 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 105 V

利得：

19.1 dB

出力電力：

2 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-24

包装：

リール

動作周波数：

728 MHz to 960 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネル数：

2 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

パーツ番号エイリアス：

935322283528

単位重量：

0.014095 oz

Tags

A2T0, A2T