RGW80TK65DGVC11

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-3PFM

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.5 V

最大ゲートエミッタ電圧：

30 V

25℃での連続コレクタ電流：

39 A

Pd-消費電力：

81 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

39 A

ブランド：

ロームセミコンダクター

ゲートエミッタリーク電流：

200 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

RGW8, RGW