2N6425 PBFREE

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-66-2

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

300 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

325 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.5 V

ゲイン帯域幅積fT：

10 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

シリーズ：

2N64

DC電流ゲインhFEMax：

200 at 100 mA, 10 V

包装：

チューブ

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

40 at 100 mA, 10 V

Pd-消費電力：

20 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N642, 2N64, 2N6