NVD5863NLT4G-VF01

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

82 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

70 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

96 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

55 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

24.4 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

37.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12.8 ns

Tags

NVD5863, NVD586, NVD58, NVD5, NVD