MHT1000HR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

210 mV

利得：

15.2 dB

出力電力：

140 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-880H-2

包装：

リール

構成：

1 N-Channel

動作周波数：

2.45 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネル数：

1 Channel

チャネルモード：

強化

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

パーツ番号エイリアス：

935315561178

単位重量：

0.343346 oz

Tags

MHT10, MHT1, MHT