VMMK-1218-TR1G

製品属性

属性値

メーカー：

Broadcom Limited

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

EpHEMT

テクノロジー：

GaAs

利得：

9 dB

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 5 V to 1 V

Id-連続ドレイン電流：

100 mA

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

300 mW

取り付けスタイル：

SMD / SMT

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

10 GHz

製品：

RF JFET

タイプ：

GaAs EpHEMT

ブランド：

Broadcom / Avago

フォワード相互コンダクタンス-最小：

200 mS

NF-雑音指数：

0.81 dB

P1dB-圧縮ポイント：

12 dBm

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

VMMK-121, VMMK-1, VMMK, VMM