HCT7000MTX

製品属性

属性値

メーカー：

TTエレクトロニクス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

40 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

300 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

バルク

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Optek / TT Electronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.1 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

HCT7000, HCT700, HCT70, HCT7, HCT