TSM3N100CP ROG

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1 kV

Id-連続ドレイン電流：

2.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

19 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

99 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

製品：

整流器

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

台湾積体電路

立ち下がり時間：

28 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

70 ns

典型的なターンオン遅延時間：

45 ns

Tags

TSM3N, TSM3, TSM