PTFA192001F V4 R250

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

900 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

50 mOhms

利得：

17 dB

出力電力：

100 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H-37248-2

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

4.11 mm

長さ：

22.35 mm

動作周波数：

1.93 GHz to 1.99 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

13.72 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

417 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

パーツ番号エイリアス：

FA192001FV4R25XT SP000393369

Tags

PTFA1920, PTFA192, PTFA19, PTFA1, PTFA, PTF