KSD1020GBU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

25 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

0.7 A

ゲイン帯域幅積fT：

170 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

400

高さ：

3.7 mm

長さ：

4 mm

包装：

バルク

幅：

2.31 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

350 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.008466 oz

Tags

KSD1020, KSD102, KSD10, KSD1, KSD