VN10LPSTZ

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

270 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.5 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

625 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

FET

ブランド：

組み込まれたダイオード

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.016000 oz

Tags

VN10LPS, VN10LP, VN10L, VN10, VN1