IPN70R2K1CEATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

700 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.89 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

7.8 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

CoolMOS

包装：

リール

シリーズ：

CoolMOS CE

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

27 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.4 ns

パーツ番号エイリアス：

IPN70R2K1CE SP001664860

単位重量：

0.009171 oz

Tags

IPN70R2, IPN70, IPN7, IPN