NESG2030M04-T2-A

製品属性

属性値

メーカー：

CEL

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラ

テクノロジー：

SiGe

トランジスタの極性：

NPN

エミッタ-ベース電圧VEBO：

1.2 V

連続コレクタ電流：

0.035 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-343

包装：

リール

コレクター-ベース電圧VCBO：

8 V

DC電流ゲインhFEMax：

200 at 5 mA at 2 V

動作周波数：

60000 MHz

タイプ：

RFシリコンゲルマニウム

ブランド：

CEL

Pd-消費電力：

80 mW

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NESG2030M04-T, NESG2030, NESG203, NESG20, NESG2, NESG, NES