FDW2520C

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSSOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A, 4.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

18 mOhms, 35 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

4.4 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S, 17 S

立ち下がり時間：

19 ns, 37 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns, 19 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32 ns, 60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns, 12 ns

単位重量：

0.000705 oz

Tags

FDW2520, FDW252, FDW25, FDW2, FDW