ZXTD09N50DE6TC

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-6

トランジスタの極性：

NPN

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

160 mV

最大DCコレクタ電流：

1 A

ゲイン帯域幅積fT：

215 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

200 at 10 mA, 2 V

高さ：

1.3 mm

長さ：

3.1 mm

包装：

リール

幅：

1.8 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 75 at 1 A, 2 V, 20 at 1.5 A, 2 V

Pd-消費電力：

900 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000229 oz

Tags

ZXTD09N50DE6T, ZXTD09N50D, ZXTD09N, ZXTD0, ZXTD, ZXT