RN1130MFV,L3F

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

独身

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

100 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-723-3

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

最大動作周波数：

250 MHz

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

150 mW

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

RN1130MFV

包装：

リール

エミッタ-ベース電圧VEBO：

10 V

ブランド：

東芝

チャネル数：

1 Channel

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

RN1130M, RN1130, RN113, RN11, RN1