SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4834CDY-T1-E3
メーカー:
Vishay
説明:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI4834CDY-T1-E3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4834CDY-T1-E3 DatasheetSI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P7-P9)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P10-P12)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P13-P15)
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
Vishay Siliconix
製品カテゴリ
FET-アレイ
シリーズ
TrenchFETR
包装
テープ&リール(TR)
パーツエイリアス
SI4834CDY-E3
単位重量
0.006596 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー
Si
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
表面実装
チャネル数
2 Channel
サプライヤー-デバイス-パッケージ
8-SO
構成
ショットキーダイオードとのデュアル
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
パワーマックス
2.9W
トランジスタタイプ
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
30V
入力-静電容量-Ciss-Vds
950pF @ 15V
FET機能
標準
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 1mA
ゲートチャージ-Qg-Vgs
25nC @ 10V
Pd-電力損失
2 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
10 ns
立ち上がり時間
12 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
7.5 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
20 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
19 ns 18 ns
典型的なターンオン遅延時間
17 ns
チャネルモード
強化
Tags
SI4834C, SI4834, SI483, SI48, SI4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:8000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.5A; On State Resistance:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Max Junction Temperature, Tj:150°C; Power Dissipation Pd:1.1W; Rise Time:10ns; Voltage, Vgs th Max:3V; Voltage, Vgs th Min:0.8V
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI4834CDY-T1-E3
DISTI # SI4834CDY-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
  • 2500:$0.5390
SI4834CDY-T1-E3
DISTI # 781-SI4834CDY-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 1:$1.2300
  • 10:$1.0100
  • 100:$0.7740
  • 500:$0.6660
  • 1000:$0.5840
SI4834CDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
RoHS: Compliant
Americas -
    画像 モデル 説明
    SI4834CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-GE3

    MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
    SI4834CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-GE3-VISHAY

    IGBT Transistors MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
    SI4834CDY-T1-E3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-E3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
    SI4834CDY

    Mfr.#: SI4834CDY

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-1190

    ブランドニューオリジナル
    可用性
    ストック:
    Available
    注文中:
    3500
    数量を入力してください:
    SI4834CDY-T1-E3の現在の価格は参考用です。最高の価格をご希望の場合は、お問い合わせまたは直接メールで営業チーム[email protected]までご連絡ください。
    参考価格(USD)
    単価
    小計金額
    1
    $0.81
    $0.81
    10
    $0.77
    $7.68
    100
    $0.73
    $72.77
    500
    $0.69
    $343.60
    1000
    $0.65
    $646.80
    皮切りに
    Top