SQJ401EP-T2_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8L-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

32 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

109 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

83 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SQ

ブランド：

Vishay / Siliconix

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

SQJ401EP-T, SQJ401, SQJ40, SQJ4, SQJ