NTHD4N02FT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ChipFET-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3.9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

80 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

910 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.05 mm

長さ：

3.05 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S

立ち下がり時間：

9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

単位重量：

0.002998 oz

Tags

NTHD4N02FT1G, NTHD4N02FT, NTHD4N, NTHD4, NTHD, NTH