TPW4R50ANH,L1Q

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DSOP Advance-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

92 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

58 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

142 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.73 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

TPW4R50ANH

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9.6 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

52 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

単位重量：

0.003457 oz

Tags

TPW4R50A, TPW4R5, TPW4R, TPW4, TPW