SI4356ADY-T1-E3

Mfr. #:: SI4356ADY-T1-E3
メーカー:: Vishay / Siliconix
説明:: RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 26A 6.5W
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: SI4356ADY-T1-E3 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
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製品属性
属性値

メーカー

製品カテゴリ: ICチップ

包装: リール

パーツエイリアス: SI4356ADY-E3

単位重量: 0.006596 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: SOIC-Narrow-8

テクノロジー: Si

チャネル数: 1 Channel

構成: 独身

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

Pd-電力損失: 3 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 9 ns

立ち上がり時間: 95 ns 12 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 12 V

Id-連続-ドレイン-電流: 17 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 5.5 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 55 ns 57 ns

典型的なターンオン遅延時間: 40 ns 12 ns

チャネルモード: 強化

Tags: SI4356, SI435, SI43, SI4

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Si4 MOSFETs: Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
SI4356ADY-T1-E3 DISTI # 781-SI4356ADY-E3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 30V 26A 6.5W RoHS: Compliant	0	1:$2.6500 10:$2.2000 100:$1.7100 500:$1.4900 1000:$1.2700 2500:$1.1000

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: SI4356ADY-T1-E3 OMO.#: OMO-SI4356ADY-T1-E3	MOSFET 30V 26A 6.5W
	Mfr.#: SI4356ADY-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI4356ADY-T1-GE3	MOSFET 30V 26A 6.5W 5.5mohm @ 10V
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