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SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4804BDY-T1-E3
メーカー:
Vishay
説明:
IGBT Transistors MOSFET 30V 7.5A 2W
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI4804BDY-T1-E3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4804BDY-T1-E3 DatasheetSI4804BDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
Vishay Siliconix
製品カテゴリ
FET-アレイ
シリーズ
TrenchFETR
包装
Digi-ReelR
パーツエイリアス
SI4804BDY-E3
単位重量
0.006596 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー
Si
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
表面実装
チャネル数
2 Channel
サプライヤー-デバイス-パッケージ
8-SO
構成
デュアル
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
パワーマックス
1.1W
トランジスタタイプ
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
30V
入力-静電容量-Ciss-Vds
-
FET機能
ロジックレベルゲート
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
5.7A
Rds-On-Max-Id-Vgs
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
ゲートチャージ-Qg-Vgs
11nC @ 4.5V
Pd-電力損失
1.1 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
10 ns
立ち上がり時間
10 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
5.7 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
22 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
19 ns
典型的なターンオン遅延時間
9 ns
チャネルモード
強化
Tags
SI4804BDY-T1-E, SI4804BDY-T, SI4804BDY, SI4804BD, SI4804B, SI4804, SI480, SI48, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***th Star Micro
Transistor MOSFET N-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:7.5A; On Resistance, Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, NN, REEL 2500; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.5A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:30A; N-channel Gate Charge:7nC; No. of Pins:8; Power, Pd:1.1W; Quantity, Reel:2500; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V N Channel:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:30V; Width, Tape:12mm
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI4804BDY-T1-E3
DISTI # SI4804BDY-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI4804BDY-T1-E3
    DISTI # SI4804BDY-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI4804BDY-T1-E3
      DISTI # SI4804BDY-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI4804BDY-T1-E3
        DISTI # 781-SI4804BDY-E3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 7.5A 2W
        RoHS: Compliant        		0
          SI4804BDY-T1-E3Vishay Siliconix5700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET1960
          • 511:$0.3500
          • 90:$0.3920
          • 1:$1.1200
          SI4804BDY-T1-E3Vishay Siliconix 1344
            SI4804BDYT1E3Vishay SemiconductorsINSTOCK1436
              画像 モデル 説明
              SI4804BDY-T1-GE3

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-GE3

              		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
              SI4804BDY-T1-E3

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-VISHAY

              		 IGBT Transistors MOSFET 30V 7.5A 2W
              SI4804B

              Mfr.#: SI4804B

              OMO.#: OMO-SI4804B-1190

              		 ブランドニューオリジナル
              SI4804BDT-T1-E3

              Mfr.#: SI4804BDT-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI4804BDT-T1-E3-1190

              		 ブランドニューオリジナル
              SI4804BDY

              Mfr.#: SI4804BDY

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-1190

              		 ブランドニューオリジナル
              SI4804BDY-T1

              Mfr.#: SI4804BDY-T1

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-1190

              		 ブランドニューオリジナル
              SI4804BDY-T1-E3 (PB)

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3 (PB)

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-PB--1190

              		 ブランドニューオリジナル
              SI4804BDY-T1-E3 GE3

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3 GE3

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-GE3-1190

              		 ブランドニューオリジナル
              SI4804BDY-T1-E3.

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3.

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3--1190

              		 ブランドニューオリジナル
              SI4804BDY-T1-GE3

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-GE3-VISHAY

              		 MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
              可用性
              ストック:
              Available
              注文中:
              1500
              数量を入力してください:
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              参考価格（USD）
              量
              単価
              小計金額
              1
              $0.52
              $0.52
              10
              $0.50
              $4.99
              100
              $0.47
              $47.25
              500
              $0.45
              $223.15
              1000
              $0.42
              $420.00
              皮切りに
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