BLV10

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラパワー

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

10

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

18 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4 V

連続コレクタ電流：

1.5 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

SOT-123

包装：

トレイ

動作周波数：

175 MHz

タイプ：

RFバイポーラパワー

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

ゲイン帯域幅積fT：

950 MHz

最大DCコレクタ電流：

4 A

Pd-消費電力：

20 W

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

BLV10, BLV1, BLV