ZXMC4559DN8TC

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

3.6 A, 2.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

55 mOhms, 125 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

20.4 nC, 12.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

ZXMC4

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10.2 S, 7.2 S

立ち下がり時間：

10.6 ns, 10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.1 ns, 4.1 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

26.2 ns, 35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.5 ns, 3.5 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMC4559DN8, ZXMC4559D, ZXMC45, ZXMC4, ZXMC, ZXM