TK49N65W,S1F(S

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

49.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

55 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

160 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

400 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

TK49N65W

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

70 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

270 ns

典型的なターンオン遅延時間：

130 ns

Tags

TK49N, TK49, TK4