STS25NH3LL-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

25 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.2 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

18 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

3.2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.65 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

STS25NH3LL-E

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

4 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

50 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

75 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

単位重量：

0.002998 oz

Tags

STS25N, STS25, STS2, STS