DMS3016SFG-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

10.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

44.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.08 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

7.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

23.7 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

35.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.8 ns

Tags

DMS3016SF, DMS3016, DMS301, DMS30, DMS3, DMS