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| PartNumber | DMS3014SFGQ-7 | DMS3014SFGQ-13 | DMS3015SSS-13 |
| Description | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | MOSFET MOSFET N-CHAN |
| Manufacturer | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Technology | Si | Si | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerDI3333-8 | PowerDI3333-8 | SO-8 |
| Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 30 V | 30 V | 30 V |
| Id Continuous Drain Current | 9.5 A | 9.5 A | 11 A |
| Rds On Drain Source Resistance | 9 mOhms | 9 mOhms | 8.5 mOhms |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 1 V | 1 V | 1 V |
| Vgs Gate Source Voltage | 10 V | 10 V | 20 V |
| Qg Gate Charge | 45.7 nC | 45.7 nC | 30.6 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | + 150 C | + 150 C |
| Pd Power Dissipation | 2.1 W | 2.1 W | 1.55 W |
| Configuration | Single | Single | Single |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement | - |
| Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| Brand | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Fall Time | 6.6 ns | 6.6 ns | 13.6 ns |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Rise Time | 24.4 ns | 24.4 ns | 27.8 ns |
| Factory Pack Quantity | 2000 | 3000 | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | MOSFETs |
| Typical Turn Off Delay Time | 33.1 ns | 33.1 ns | 29.7 ns |
| Typical Turn On Delay Time | 5.5 ns | 5.5 ns | 15.8 ns |
| RoHS | - | - | Y |
| Tradename | - | - | DIOFET |
| Packaging | - | - | Reel |
| Product | - | - | MOSFET Small Signal |
| Series | - | - | DMS30 |
| Forward Transconductance Min | - | - | 18 S |
| Unit Weight | - | - | 0.002610 oz |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Diodes Incorporated |
DMS3014SFGQ-7 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | |
| DMS3014SFGQ-13 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | ||
| DMS3016SSS-13 | MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE | ||
| DMS3015SSS-13 | MOSFET MOSFET N-CHAN | ||
| DMS3016SFG-7 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | ||
| DMS3012SFG | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3014SFG | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3014SFG-13 | MOSFET N-CH POWERDI3333-8 | ||
| DMS3014SSS | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3014SSS-13-F | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3015SSS | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3015SSS-13-F | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3015SSS13 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
| DMS3016SFG | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3016SFG-13 | Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | ||
| DMS3016SFG-7 | Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | ||
| DMS3016SSS | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3016SSS-13-F | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3016SSSA | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3016SSSA-13-F | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3017SFG | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3017SSD | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3019SSD | ブランドニューオリジナル | ||
| DMS3019SSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO | ||
| DMS3017SSD-13 | Darlington Transistors MOSFET Dual N-Ch DIOFET VDSS 30V VGSS 20V | ||
| DMS3016SSSA-13 | Darlington Transistors MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K | ||
| DMS3016SSS-13 | Darlington Transistors MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE | ||
| DMS3015SSS-13 | Darlington Transistors MOSFET MOSFET N-CHAN | ||
| DMS3012SFG-13 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K | ||
| DMS3012SFG-7 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | ||
| DMS3014SSS-13 | MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE | ||
| DMS3014SFG-7 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K |