GA35XCP12-247

製品属性

属性値

メーカー：

GeneSiC半導体

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

パッケージ/ケース：

TO-247AB

取り付けスタイル：

スルーホール

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

3 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

GA35XCP12

包装：

チューブ

動作温度範囲：

- 40 C to + 150 C

ブランド：

GeneSiC半導体

ゲートエミッタリーク電流：

0.3 mA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

GA35, GA3