VNW100N04

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

42 V

Id-連続ドレイン電流：

50 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

12 mOhms

Pd-消費電力：

208 W

包装：

チューブ

シリーズ：

VNW100N04

タイプ：

パワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

60 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

1.340411 oz

Tags

VNW1, VNW