IRF6708S2TRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DirectFET-S1

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

36 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

14.3 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

6.6 nC

Pd-消費電力：

20 W

構成：

独身

高さ：

0.74 mm

長さ：

4.85 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.95 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

製品タイプ：

MOSFET

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

IRF670, IRF67, IRF6, IRF