QPD2730

QPD2730
Mfr. #:
QPD2730
メーカー:
Qorvo
説明:
RF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
QPD2730 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
QPD2730 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
カーボ
製品カテゴリ:
RFJFETトランジスタ
JBoss:
Y
トランジスタタイプ:
HEMT
テクノロジー:
GaN SiC
利得:
16 dB
トランジスタの極性:
Nチャネル
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
48 V
Id-連続ドレイン電流:
210 mA
出力電力:
36 W
最大ドレインゲート電圧:
55 V
最低動作温度:
- 40 C
最高作動温度:
+ 85 C
Pd-消費電力:
18.6 W
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
NI780-4
包装:
ワッフル
構成:
デュアル
動作周波数:
2.575 GHz to 2.635 GHz
動作温度範囲:
- 40 C to + 85 C
シリーズ:
QPD
ブランド:
カーボ
感湿性:
はい
製品タイプ:
RFJFETトランジスタ
ファクトリーパックの数量:
25
サブカテゴリ:
トランジスタ
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧:
- 2.7 V, - 4.75 V
パーツ番号エイリアス:
1131813
Tags
QPD273, QPD27, QPD2, QPD
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Transistor, Power, 2.575 - 2.635 GHz, 53.5 dBm, 15.9 dB, 48 V, GaN, N-780 Ceramic Pkg
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
QPD2730
DISTI # 772-QPD2730
QorvoRF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
RoHS: Compliant
26
  • 1:$165.5500
  • 25:$144.4800
画像 モデル 説明
QPD1008L

Mfr.#: QPD1008L

OMO.#: OMO-QPD1008L

RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
QPD2796

Mfr.#: QPD2796

OMO.#: OMO-QPD2796

RF JFET Transistors 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
QPD1019

Mfr.#: QPD1019

OMO.#: OMO-QPD1019

RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
QPD2195SR

Mfr.#: QPD2195SR

OMO.#: OMO-QPD2195SR

RF JFET Transistors 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
QPD1025L

Mfr.#: QPD1025L

OMO.#: OMO-QPD1025L-1152

RF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
QPDD740001401

Mfr.#: QPDD740001401

OMO.#: OMO-QPDD740001401-1190

ブランドニューオリジナル
QPDS-9922-200

Mfr.#: QPDS-9922-200

OMO.#: OMO-QPDS-9922-200-1190

ブランドニューオリジナル
QPDS-T905

Mfr.#: QPDS-T905

OMO.#: OMO-QPDS-T905-1190

ブランドニューオリジナル
QPDS-T907

Mfr.#: QPDS-T907

OMO.#: OMO-QPDS-T907-1190

ブランドニューオリジナル
QPD1009-EVB1

Mfr.#: QPD1009-EVB1

OMO.#: OMO-QPD1009-EVB1-1152

RF Development Tools DC-4GHz 15W 28-50V Eval Board
可用性
ストック:
26
注文中:
2009
数量を入力してください:
QPD2730の現在の価格は参考用です。最高の価格をご希望の場合は、お問い合わせまたは直接メールで営業チーム[email protected]までご連絡ください。
参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$165.55
$165.55
25
$144.48
$3 612.00
皮切りに
Top