PMDPB85UPE,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-2020-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

82 mOhms, 82 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

950 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

8.1 nC, 8.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.17 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S, 6 S

立ち下がり時間：

21 ns, 21 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

47 ns, 47 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns, 6 ns

Tags

PMDPB85, PMDPB8, PMDPB, PMDP, PMD