UMB3NFHATN

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 300 mV

ゲイン帯域幅積fT：

250 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

600

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

UMB3NFHA

Tags

UMB3NF, UMB3N, UMB3, UMB