CZT853 TR

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

200 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

340 mV

ゲイン帯域幅積fT：

190 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

CZT853

DC電流ゲインhFEMax：

300 at 2 A, 2 V

包装：

リール

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

6 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20 at 10 A, 2 V

Pd-消費電力：

3 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

CZT853 PBFREE TR

Tags

CZT8, CZT