CGHV22200F

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

GaN

Id-連続ドレイン電流：

1 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

利得：

18 dB

出力電力：

200 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

440162

包装：

バルク

動作周波数：

1.8 GHz to 2.2 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

Wolfspeed / Cree

チャネル数：

1 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 10 V, 2 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 3 V

Tags

CGHV222, CGHV22, CGHV2, CGHV, CGH