BC856BW,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 65 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 250 mV

最大DCコレクタ電流：

- 100 mA

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

220 at 2 mA, 5 V

高さ：

1 mm

長さ：

2.2 mm

包装：

リール

幅：

1.35 mm

ブランド：

Nexperia

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

220 at 2 mA, 5 V

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

BC856BW T/R

単位重量：

0.000176 oz

Tags

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