FDFMA3P029Z

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MicroFET-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

3.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

87 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.9 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

7.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.4 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.2 ns

単位重量：

0.002116 oz

Tags

FDFMA3, FDFMA, FDFM, FDF