NTGD3148NT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

3.8 nC, 3.8 nC

最低動作温度：

- 50 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.94 mm

長さ：

3 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

パワートレンチMOSFET

幅：

1.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.2 S, 6.2 S

立ち下がり時間：

1.6 ns, 1.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11.2 ns, 11.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12.8 ns, 12.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.4 ns, 7.4 ns

単位重量：

0.000705 oz

Tags

NTGD314, NTGD3, NTGD, NTG