NTGD

NTGD1100LT1G vs NTGD3122C vs NTGD1100LT1G-CUT TAPE

 
PartNumberNTGD1100LT1GNTGD3122CNTGD1100LT1G-CUT TAPE
DescriptionMOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
ManufacturerON Semiconductor--
Product CategoryMOSFET--
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseTSOP-6--
Number of Channels2 Channel--
Transistor PolarityN-Channel, P-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage8 V--
Id Continuous Drain Current3.3 A--
Rds On Drain Source Resistance55 mOhms--
Vgs th Gate Source Threshold Voltage600 mV--
Vgs Gate Source Voltage4.5 V--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
Pd Power Dissipation830 mW--
ConfigurationDual--
Channel ModeEnhancement--
PackagingReel--
Height0.94 mm--
Length3 mm--
SeriesNTGD1100L--
Transistor Type1 N-Channel, 1 P-Channel--
TypeMOSFET--
Width1.5 mm--
BrandON Semiconductor--
Product TypeMOSFET--
Factory Pack Quantity3000--
SubcategoryMOSFETs--
Unit Weight0.000705 oz--
メーカー モデル 説明 RFQ
NTGD3148NT1G MOSFET NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
NTGD1100LT1G MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
NTGD3122C ブランドニューオリジナル
NTGD3122CT1G ブランドニューオリジナル
NTGD3133PT1H PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
NTGD3148N ブランドニューオリジナル
NTGD314PCT1G ブランドニューオリジナル
NTGD4167C ブランドニューオリジナル
NTGD4167CT1 ブランドニューオリジナル
NTGD4167CT1G SI3590DV- ブランドニューオリジナル
NTGD4167CTTGR ブランドニューオリジナル
NTGD4167PT1G ブランドニューオリジナル
NTGD1100LT1G-CUT TAPE ブランドニューオリジナル
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTGD4169FT1G MOSFET FETKY 30V 2.6A 90MO TSOP6
NTGD3149CT1G MOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR
NTGD4161PT1G MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
NTGD4167CT1G MOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
NTGD3147FT1G MOSFET FETKY 20V 2.5A 145M TSOP6
NTGD1100LT1 MOSFET N-CHAN 3.3A 8V TSOP6
NTGD1100LT1G MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP
NTGD3133PT1G MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
NTGD3147FT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
NTGD3148NT1G MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
NTGD3149CT1G MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
NTGD4161PT1G MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
NTGD4169FT1G MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
NTGD4167CT1G IGBT Transistors MOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
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