APTGTQ200DA65T3G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

テクノロジー：

-

製品：

IGBTシリコンモジュール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.65 V

25℃での連続コレクタ電流：

200 A

ゲートエミッタリーク電流：

480 nA

Pd-消費電力：

483 W

パッケージ/ケース：

SP3F

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

包装：

チューブ

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

取り付けスタイル：

シャーシマウント

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

3.880136 oz

Tags

APTGTQ2, APTGTQ, APTGT, APTG, APT