DMN2013UFX-7

Mfr. #:: DMN2013UFX-7
メーカー:: Diodes Incorporated
説明:: MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: DMN2013UFX-7 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: 組み込まれたダイオード

製品カテゴリ: FET-アレイ

シリーズ: DMN2013

包装: Digi-ReelR代替パッケージ

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: 6-VFDFN Exposed Pad

テクノロジー: Si

作動温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ: 表面実装

チャネル数: 2 Channel

サプライヤー-デバイス-パッケージ: *

構成: デュアル

FETタイプ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain

パワーマックス: 780mW

トランジスタタイプ: 2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 20V

入力-静電容量-Ciss-Vds: 2607pF @ 10V

FET機能: ロジックレベルゲート

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 10A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs-th-Max-Id: 1.1V @ 250μA

ゲートチャージ-Qg-Vgs: 57.4nC @ 8V

Pd-電力損失: 2.14 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 13.7 ns

立ち上がり時間: 20.3 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 8 V

Id-連続-ドレイン-電流: 10 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 20 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: 1.1 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 9.6 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 42.5 ns

典型的なターンオン遅延時間: 8.6 ns

Qg-Gate-Charge: 57.4 nC

チャネルモード: 強化

Tags: DMN201, DMN20, DMN2, DMN

Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1:
Vacuum Packaging with PL

Step2:
Anti-Static Bag

Step3:
Packaging Boxes

DMN2013UFX-7 説明

***ical: Trans MOSFET N-CH 20V 10A Automotive 6-Pin WDFN EP T/R

***Components: On a Reel of 3000, DiodesZetex DMN2013UFX-7 MOSFET

***et: Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin DFN T/R

***i-Key: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
DMN2013UFX-7 DISTI # DMN2013UFX-7-ND	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	Temporarily Out of Stock	3000:$0.2791
DMN2013UFX-7 DISTI # DMN2013UFX-7	Diodes Incorporated	Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin DFN T/R - Tape and Reel (Alt: DMN2013UFX-7) RoHS: Not Compliant Min Qty: 3000 Container: Reel	Americas - 0	3000:$0.2109 6000:$0.1999 12000:$0.1909 18000:$0.1819 30000:$0.1779
DMN2013UFX-7 DISTI # 621-DMN2013UFX7	Diodes Incorporated	MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W RoHS: Compliant	2860	1:$0.6600 10:$0.5430 100:$0.3500 1000:$0.2800
DMN2013UFX-7	Diodes Incorporated		3000

関連製品

画像	モデル	説明
	Mfr.#: DMN2016UTS-13 OMO.#: OMO-DMN2016UTS-13	MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
	Mfr.#: DMN2011UFDE-13 OMO.#: OMO-DMN2011UFDE-13	MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
	Mfr.#: DMN2015UFDE OMO.#: OMO-DMN2015UFDE-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN2016LFG-7 , VX-705-EC OMO.#: OMO-DMN2016LFG-7-VX-705-EC-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN2016LHAB OMO.#: OMO-DMN2016LHAB-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN2016UTS OMO.#: OMO-DMN2016UTS-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN2019UTS-13 OMO.#: OMO-DMN2019UTS-13-DIODES	Darlington Transistors MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5K
	Mfr.#: DMN2011UFDE-13 OMO.#: OMO-DMN2011UFDE-13-DIODES	MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
	Mfr.#: DMN2013UFX-7 OMO.#: OMO-DMN2013UFX-7-DIODES	MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
	Mfr.#: DMN2013UFDE-7 OMO.#: OMO-DMN2013UFDE-7-DIODES	MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K