NTD5862N-1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

98 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

115 W

構成：

独身

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

60 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

70 ns

ファクトリーパックの数量：

75

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD5862, NTD586, NTD58, NTD5, NTD