AFT20S015GNR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

132 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 65 V

利得：

17.6 dB

出力電力：

1.5 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270-2

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

100 MHz to 3.6 GHz

シリーズ：

AFT20S015N

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネル数：

1 Channel

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

11 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

パーツ番号エイリアス：

935314968528

単位重量：

0.019330 oz

Tags

AFT20S, AFT20, AFT2, AFT