STGWA80H65DFB

STGWA80H65DFB
Mfr. #:
STGWA80H65DFB
メーカー:
STMicroelectronics
説明:
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
STGWA80H65DFB データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
STGWA80H65DFB 詳しくは STGWA80H65DFB Product Details
製品属性
属性値
メーカー:
STMicroelectronics
製品カテゴリ:
IGBTトランジスタ
JBoss:
Y
テクノロジー:
Si
パッケージ/ケース:
TO-247-3
取り付けスタイル:
スルーホール
構成:
独身
コレクター-エミッター電圧VCEOMax:
650 V
コレクター-エミッター飽和電圧:
2 V
最大ゲートエミッタ電圧:
20 V
25℃での連続コレクタ電流:
120 A
Pd-消費電力:
469 W
最低動作温度:
- 55 C
最高作動温度:
+ 175 C
シリーズ:
STGWA80H65DFB
連続コレクタ電流IcMax:
80 A
高さ:
5.3 mm
長さ:
20.3 mm
動作温度範囲:
- 55 C to + 175 C
幅:
15.9 mm
ブランド:
STMicroelectronics
連続コレクタ電流:
120 A
ゲートエミッタリーク電流:
250 nA
製品タイプ:
IGBTトランジスタ
ファクトリーパックの数量:
600
サブカテゴリ:
IGBT
単位重量:
1.340411 oz
Tags
STGWA8, STGWA, STGW, STG
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***et Europe
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
***ronik
IGBT 650V 80A 1,8V TO247 long D
***i-Key
IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
***ark
Ptd High Voltage
モデル メーカー 説明 ストック 価格
STGWA80H65DFB
DISTI # V99:2348_17623314
STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
RoHS: Compliant
596
  • 100:$5.4760
  • 10:$6.6700
  • 1:$8.1972
STGWA80H65DFB
DISTI # 497-16007-5-ND
STMicroelectronicsIGBT BIPO 650V 80A TO247-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
262In Stock
  • 120:$5.6070
  • 30:$6.4577
  • 1:$7.5000
STGWA80H65DFB
DISTI # 25947925
STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
RoHS: Compliant
596
  • 2:$8.1972
STGWA80H65DFB
DISTI # 511-STGWA80H65DFB
STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
RoHS: Compliant
192
  • 1:$7.1400
  • 10:$6.4600
  • 25:$6.1600
  • 100:$5.3400
  • 250:$5.1100
  • 500:$4.6500
  • 1000:$4.0600
STGWA80H65DFB
DISTI # IGBT1888
STMicroelectronicsIGBT 650V 80A 1,8V TO247 long D
RoHS: Compliant
Stock DE - 0Stock HK - 0Stock US - 0
  • 600:$4.7500
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsInsulated Gate Bipolar Transistor
RoHS: Compliant
600
    画像 モデル 説明
    STGWA80H65FB

    Mfr.#: STGWA80H65FB

    OMO.#: OMO-STGWA80H65FB

    IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
    STGWA8M120DF3

    Mfr.#: STGWA8M120DF3

    OMO.#: OMO-STGWA8M120DF3

    IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
    STGWA80H65DFB

    Mfr.#: STGWA80H65DFB

    OMO.#: OMO-STGWA80H65DFB

    IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
    STGWA80H65FB

    Mfr.#: STGWA80H65FB

    OMO.#: OMO-STGWA80H65FB-STMICROELECTRONICS

    IGBT 650V 120A 469W TO247
    STGWA8M120DF3

    Mfr.#: STGWA8M120DF3

    OMO.#: OMO-STGWA8M120DF3-STMICROELECTRONICS

    STMSTGWA8M120DF3 - Trays (Alt: STGWA8M120DF3)
    STGWA80H65DFB

    Mfr.#: STGWA80H65DFB

    OMO.#: OMO-STGWA80H65DFB-STMICROELECTRONICS

    IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
    可用性
    ストック:
    192
    注文中:
    2175
    数量を入力してください:
    STGWA80H65DFBの現在の価格は参考用です。最高の価格をご希望の場合は、お問い合わせまたは直接メールで営業チーム[email protected]までご連絡ください。
    皮切りに
    最新の製品
    Top