SIE844DF-T1-E3

SIE844DF-T1-E3
Mfr. #:
SIE844DF-T1-E3
メーカー:
Vishay
説明:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SIE844DF-T1-E3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIE844DF-T1-E3 DatasheetSIE844DF-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SIE844DF-T1-E3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
Vishay / Siliconix
製品カテゴリ
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
包装
リール
パーツエイリアス
SIE844DF-E3
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
PolarPAK-10
テクノロジー
Si
チャネル数
1 Channel
構成
独身
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Pd-電力損失
5.2 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
10 ns
立ち上がり時間
10 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
20.3 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
7 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
25 ns
典型的なターンオン遅延時間
25 ns
チャネルモード
強化
Tags
SIE84, SIE8, SIE
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ark
N CHANNEL MOSFET, 30V, 44.5A, POLARPAK, FULL REEL
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
***nell
MOSFET, N, POLARPAK
***ment14 APAC
MOSFET, N, POLARPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:5.2W; Operating Temperature Range:-50°C to +150°C; Transistor Case Style:PolarPAK; No. of Pins:10; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:44.5A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PolarPAK; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:5.2W; Rise Time:10ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SIE844DF-T1-E3
DISTI # SIE844DF-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIE844DF-T1-E3
    DISTI # 781-SIE844DF-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      画像 モデル 説明
      SIE844DF-T1-GE3

      Mfr.#: SIE844DF-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIE844DF-T1-GE3

      MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
      SIE844DF-T1-E3

      Mfr.#: SIE844DF-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIE844DF-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
      SIE844DF-T1-GE3

      Mfr.#: SIE844DF-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIE844DF-T1-GE3-VISHAY

      MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
      可用性
      ストック:
      Available
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      $0.00
      100
      $0.00
      $0.00
      500
      $0.00
      $0.00
      1000
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      $0.00
      皮切りに
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