PTFB192503FL-V2-R250

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

30 mOhms

利得：

19 dB

出力電力：

240 W

最高作動温度：

+ 225 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H-34288-4/2

包装：

リール

動作周波数：

1930 MHz to 1990 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

Wolfspeed / Cree

チャネル数：

1 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Tags

PTFB192503F, PTFB19250, PTFB192, PTFB19, PTFB1, PTFB, PTF