2SB1122S-TD-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.18 V

最大DCコレクタ電流：

- 2 A

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1122

DC電流ゲインhFEMax：

560

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

140

Pd-消費電力：

1.3 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001806 oz

Tags

2SB1122S-TD, 2SB1122S, 2SB1122, 2SB112, 2SB11, 2SB1, 2SB